P+F传感器中的电阻应变片具有金属的应变效应，即在外力作用下产生机械形变，从而使电阻值随之发生相应的变化。电阻应变片主要有金属和半导体两类，金属应变片有金属丝式、箔式、薄膜式之分。半导体应变片具有灵敏度高（通常是丝式、箔式的几十倍）、横向效应小等优点。压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。其基片可直接作为测量传感元件，扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时，各电阻值将发生变化，电桥就会产生相应的不平衡输出。用作压阻式传感器的基片（或称膜片）材料主要为硅片和锗片，硅片为敏感材料而制成的硅压阻传感器越来越受到人们的重视，尤其是以测量压力和速度的固态压阻式传感器应用为普遍。

P+F传感器的主要分类：

按用途
压力敏和力敏传感器、位置传感器、液位传感器、能耗传感器、速度传感器、加速度传感器、射线辐射传感器、热敏传感器。
按原理
振动传感器、湿敏传感器、磁敏传感器、气敏传感器、真空度传感器、生物传感器等。
按输出信号
模拟传感器：将被测量的非电学量转换成模拟电信号。
数字传感器：将被测量的非电学量转换成数字输出信号（包括直接和间接转换）。
膺数字传感器：将被测量的信号量转换成频率信号或短周期信号的输出（包括直接或间接转换）。
开关传感器：当一个被测量的信号达到某个特定的阈值时，传感器相应地输出一个设定的低电平或高电平信号。

P+F传感器的产品型号：

P+F 备件 V15-G-PG9

P+F 安全栅 KFA6-SOT2-Ex2

P+F 备件 NJ4-12GM40-E2-V1

P+F 编码器 RHI58N-0BAK1R61N-00500

P+F 传感器电缆 V15-W-2M-PUR-ABG-V15-G

P+F 开关 NCN8-18GM40-Z0

P+F 增量编码器 PVM58N-011AGR0BN-1213

P+F 编码器 PVM-581-032AGROBN-1213

P+F 感应接近开关 NBB1.5-8GM20

P+F 光电开关 OBT200-18GM60-E5-V1

P+F 传感器 UC6000-30GM-IUR2-V15

P+F 接近开关 NCB4-12GM40-Z4-V1

P+F 传感器电缆 V1-W-15m-PUR-V1-G

P+F 编码器 RHI90N-0HAAAR61N-1024

P+F 接近开关 MB80-12GM50-E2

P+F 声纳传感器 3RG6113-3BE01-PF

P+F 备件 ncf25-f35-a2-250-15m-v

P+F 编码器 RHI90N-0LAK1R61N-01024

P+F 编码器 DVM58N-011AGROBN-1213

P+F 连接器 连接器 9401-10X10

P+F 编码器 PSM58N-F3AAGR0BN-1213

P+F 备件 VAZ-FK-ED2

P+F 限位开关 IGT205 ?18

P+F ENCODER RVI58N-011K1R61N-01024

P+F 超声波测量传感器 UB2000-F42-I-V15